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BSS83PH6327XTSA1  与  BSS83P H6327  区别

型号 BSS83PH6327XTSA1 BSS83P H6327
唯样编号 A36-BSS83PH6327XTSA1 A36-BSS83P H6327
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 360mW(Ta) -
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2Ω@330mA,10V
上升时间 - 71ns
Qg-栅极电荷 - 2.38nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 78pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 0.24S
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.57nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - -330mA
配置 - Single
长度 - 2.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 330mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 61ns
高度 - 1.10mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - -60V
Pd-功率耗散(Max) - 360mW
典型关闭延迟时间 - 56ns
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 80uA -
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 330mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
典型接通延迟时间 - 23ns
库存与单价
库存 26,521 15,442
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.7139
200+ :  ¥0.5811
1,500+ :  ¥0.5291
3,000+ :  ¥0.494
70+ :  ¥0.7513
200+ :  ¥0.6123
1,500+ :  ¥0.5564
3,000+ :  ¥0.52
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS83PH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS83P H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
26,521 当前型号
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 3.04mm

¥1.177 

阶梯数 价格
50: ¥1.177
200: ¥0.9042
1,500: ¥0.7865
2,211 对比
2SJ168TE85LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

SC-59

暂无价格 0 对比
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 3.04mm

暂无价格 0 对比
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 3.04mm

暂无价格 0 对比
BSS83P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS83PH6327XTSA1_2.9mm SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
15,442 对比

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